Tag Archives: 比来,美国加州年夜学圣塔芭芭拉分校(UCSB)宣称具备经过金属无机化学气相堆积法成长的具备内涵地道结(TJ)的氮化镓(GaN)基微型发光二极管(μLED)的最低正向电压( MOCVD)[Panpan Li等人,Optics Express,第28卷,第18707页,2020年]。该电压仅略高于应用铟锡氧化物(ITO)通明导电电极的电压。

美国高校研究人员改善了氮化镓Micro LED的MOCVD隧道结

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