三星发现新型半导体材料无定形氮化硼

By | 2020年7月25日

  三星电子近日发表,发现了一种全新半导体资料 “无定形氮化硼 (amorphous boron nitride),简称 a-BN”。

  三星初级技巧学院SAIT的钻研职员与蔚山国立迷信技巧学院UNIST以及剑桥年夜学协作,发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新资料,它可能成为新一代半导体的资料,减速下一代半导体的问世,这项钻研曾经正在《天然》杂志上宣布。

  最近几年来,三星
SAIT不断正在钻研二维(2D)资料具备单原子层的晶体资料的钻研以及开发。详细而言,该钻研所不断努力于石墨烯的钻研以及开发,并正在该畛域获得了打破性的钻研效果,例如开发新的石墨烯晶体管和消费年夜面积单晶晶片的新办法。石墨烯。除了了钻研以及开发石墨烯外,SAIT还努力于减速资料的贸易化。

  “为了加强石墨烯与基于硅的半导体工艺的兼容性,应正在低于 400°C 的温度下正在半导体衬底上进行晶圆级石墨烯成长。”
SAIT的石墨烯名目担任人兼首席钻研员 Shin Hyeon-Jin Shin 示意。“咱们还正在一直致力,将石墨烯的使用范畴扩大到半导体之外的畛域。”

  新发现的资料称为无定形氮化硼(a-BN),由具备非晶份子构造的硼以及氮原子组成。虽然非晶态氮化硼衍生自红色石墨烯,此中包罗以六边形构造陈列的硼以及氮原子,但实际上
a-BN 的份子构造使其与红色石墨烯具备共同的区分。

  无定形氮化硼具备 1.78 的同类最好的超低介电常数,具备弱小的电气以及机器功能,能够用作互连隔离资料以最年夜水平地缩小电滋扰,还证实了该资料能够正在仅
400°C 的高温下以晶圆级成长。因而,估计无定形氮化硼将宽泛使用于诸如 DRAM 以及 NAND
处理计划的半导体,尤为是正在用于年夜型效劳器的下一代存储器处理计划中。

  SAIT副总裁兼有机资料试验室担任人Park Seongjun
Park示意:“比来,人们对2D资料及其衍生的新资料的兴味一直添加。然而,将资料使用于现有的半导体工艺依然存正在许多应战,咱们将持续开发新资料来引领半导体范式的转变。”

编纂:严志祥

起源:里手说