ALLOS与KAUST合力研发高效硅基InGaN红色Micro LED

By | 2020年7月25日

  据报导,德国硅基氮化镓专家ALLOS
Semiconductors发表与沙特阿卜都拉国王科技年夜学(KAUST)钻研团队告竣协作,单方将独特研发高效硅基InGaN白色Micro LED。

  据理解,年夜晶格失配(lattice mismatch )以及量子限度斯塔克效应(quantum-confined Stark
effect,QCSE)等成绩限度了白色氮基LED正在实际产业使用中的应用,而ALLOS与KAUST本次协作将努力于处理这些根本成绩。


图片起源:ALLOS

  值患上留意的是,正在Micro LED显示畛域,除了了蓝色以及绿色LED以外,Micro
LED显示还对正在年夜尺寸晶圆上成长白色LED有微弱的需要,目的正在于升高制作复杂性以及老本。

  据悉,KAUST团队此前经过采纳部分应变弥补(Local Strain
Compensation)以及改进后的MOCVD反响器设计,正在开发正向电压(Forward Voltage)低于2.5V且高效的InGaN基白色Micro
LED方面取得了一些打破。他们已正在蓝宝石衬底以及Ga2O3(氧化镓)衬底上成长出白色LED。


图片起源:KAUST

  为了采纳晶圆级(尤为是年夜尺寸晶圆)工程应变技巧来开发潜正在高功能白色LED,KAUST团队与ALLOS独特将钻研工作延长到硅衬底上。凭仗可以将晶圆片扩大到300妹妹和正在硅衬底产线上加工的才能,单方的协作将放慢量产过程。关于Micro
LED显示器,特地是用于AR设施的单片集成Micro LED显示器而言,这将是另外一个首要的助攻。

  KAUST团队与ALLOS将充沛行使各自的业余常识来解决应变成绩,优化硅基氮化镓以及白色LED的晶体成长前提,进而完成正在硅基氮化镓缓冲层上成长白色LED货仓旅馆(Stack)。

编纂:严志祥

起源:LEDinside编译